PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。

本征吸收

TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。

異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。

MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法。

提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。