問答題PECVD的機理?PECVD有何優(yōu)勢?
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問答題淀積技術(shù)包括哪兩種?
2.問答題為什么要采用摻氯氧化,作用如何?
3.問答題比較干氧化、濕氧化和水汽氧化的特點。
4.問答題常見的熱氧化生長二氧化硅的方法有哪些?
5.問答題簡述影響氧化速率的因素?
最新試題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:單項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項?()
題型:單項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:單項選擇題
硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
題型:單項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
題型:多項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:單項選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
題型:單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
題型:多項選擇題
化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個?()
題型:單項選擇題