硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的特點包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。