目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。