A.均方根偏差可以為負(fù)數(shù)
B.均方根偏差越大,則相對(duì)均方根偏差也必然越大
C.均方根偏差與相對(duì)均方根偏差在實(shí)際測量中是一個(gè)意思
D.相對(duì)均方根偏差越小,則測量越精確
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A.二者都是常用的統(tǒng)計(jì)參數(shù)
B.對(duì)于一個(gè)隨機(jī)變量而言,它的數(shù)學(xué)期望、方差的量綱是不同的
C.實(shí)驗(yàn)次數(shù)有限時(shí),算術(shù)平均值等于數(shù)學(xué)期望
D.方差描述的是隨機(jī)變量偏離均值的程度
A.可以近似為指數(shù)衰減過程
B.會(huì)有一定的最大射程
C.半衰減厚度就是此時(shí)的平均自由程
D.水、冰、水蒸氣的線性衰減系數(shù)相同
A.反散射峰的產(chǎn)生原因就是康普頓效應(yīng)
B.康普頓截面與介質(zhì)原子電荷量的2次方成正比
C.散射光子的能量是連續(xù)的,但是反沖電子的能量不連續(xù)
D.如果γ射線與探測器外的物質(zhì)發(fā)生了康普頓效應(yīng),則不可能探測到這個(gè)γ光子的信息
A.電子對(duì)效應(yīng)
B.光電效應(yīng)
C.康普頓效應(yīng)
D.湯姆遜散射
A.對(duì)同種材料,入射電子能量越低,反散射越嚴(yán)重
B.對(duì)同樣能量的入射電子,原子序數(shù)越高的材料,反散射越嚴(yán)重
C.對(duì)放射源而言,利用反散射可以提高β源的產(chǎn)額
D.為避免反散射造成的測量偏差,需要用高Z材料制作入射窗
最新試題
測量能量10keV的γ射線,觀察到了在20keV處有一個(gè)明顯的峰,對(duì)于這些計(jì)數(shù)的分析正確的是()。
下列關(guān)于符合曲線描述錯(cuò)誤的是()。
關(guān)于符合的描述,下列說法正確的是()。
下列關(guān)于反符合的描述正確的是()。
下列哪種中子的波長最短?()
下列對(duì)中子慢化的描述正確的是()。
下列對(duì)γ能譜的描述,錯(cuò)誤的是()。
對(duì)偶然符合描述正確的是()。
改變下列哪項(xiàng)不會(huì)對(duì)活度探測產(chǎn)生明顯影響?()
幾何因素對(duì)探測器測量活度的影響描述正確的是()。