判斷題在產(chǎn)線(xiàn)中,鋁刻蝕后往往都不是安全停留工序。
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4.單項(xiàng)選擇題以下哪種材質(zhì),純濕法刻蝕后,不需要使用帶鋁后處理的工序段?()
A.純AL
B.AL-SI
C.AL-SI-CU
D.AL-SI+AL-SI-CU
5.單項(xiàng)選擇題下面的標(biāo)準(zhǔn)工序段中,正確的是()。
A.CO-ET:刻蝕烘烤-打膠-CO干刻-刻蝕測(cè)膜厚-濕法腐蝕-濕法去膠-刻蝕后檢
B.LA-ET:刻蝕烘烤-打膠-鋁濕刻-鋁干刻-干法去膠-刻蝕后檢
C.PA-ET:刻蝕烘烤-干刻壓點(diǎn)-刻蝕測(cè)膜厚-干法去膠-刻蝕后檢
D.濕法腐蝕:刻蝕烘烤-打膠-濕法腐蝕-刻蝕測(cè)膜厚-濕法去膠-刻蝕后檢
6.單項(xiàng)選擇題干法刻蝕前有的工序段會(huì)有烘烤,它的作用主要是()。
A.防止侵蝕
B.防止未蝕凈
C.讓臺(tái)階角度更陡
D.防止皺膠
7.單項(xiàng)選擇題SIO2、SIN干法刻蝕主要是通過(guò)哪種氣體進(jìn)行刻蝕反應(yīng)?()
A.含CL基氣體
B.含F(xiàn)基氣體
C.含C基氣體
D.O2
8.單項(xiàng)選擇題SIO2干法刻蝕,刻蝕后CD的影響因素有()。
A.刻蝕時(shí)間
B.聚合物的多少
C.光刻膠CD
D.以上都對(duì)
9.單項(xiàng)選擇題鋁后處理HNO3、CH3COOH、HF混合液的主要作用是()。
A.去除聚合物
B.去除金屬離子
C.去除顆粒沾污
D.去除硅渣
10.單項(xiàng)選擇題如果SiO2濕法腐蝕想獲得更緩的臺(tái)階角度,以下方法可行的是()。
A.升高烘烤溫度
B.降低烘烤溫度
C.改干+濕工藝
D.使用粘附性好的光刻膠
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題型:判斷題
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