A.方向改變
B.數(shù)量損失
C.通量損失
D.動(dòng)量損失
E.能量損失
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A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±5%
E.±10%
A.當(dāng)SSD改變時(shí)，TMR不變
B.當(dāng)SSD減小時(shí)，TMR增大
C.當(dāng)SSD增大時(shí)，TMR減小
D.當(dāng)SSD增大時(shí)，TMR增大
E.當(dāng)SSD減小時(shí)，TMR減小
A.沿軸向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
B.沿橫向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
C.沿軸向分布的電場(chǎng)和沿橫向分布的磁場(chǎng)
D.沿橫向分布的電場(chǎng)和沿軸向分布的磁場(chǎng)
E.沿軸分布方向相反的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
A.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng)，與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
B.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較強(qiáng)，與受熙、體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
C.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱，與受照體積關(guān)聯(lián)較弱
D.與受照最大劑量關(guān)聯(lián)較弱，與受照體積關(guān)聯(lián)較強(qiáng)
E.只和受照最大劑量有關(guān)
A.能量越高，射野越小，表面劑量越高
B.能量越高，射野越大，表面劑量越高
C.能量越低，射野越小，表面劑量越高
D.能量越低，射野越大，表面劑量越高
E.能量影響相對(duì)較小，射野大小對(duì)表面劑量影響很大
A.對(duì)于60Coγ射線(xiàn)，任何深度處等劑量由線(xiàn)射線(xiàn)中心軸上的值都是最小的，隨著向射野邊界靠近而增加
B.對(duì)于60Coγ射線(xiàn)，任何深度處等劑量曲線(xiàn)射線(xiàn)中心軸上的值都是最小的，隨著向射野邊界靠近而減少
C.對(duì)于兆伏級(jí)光子線(xiàn)，在淺層深度處，同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大，這是由于均整塊的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
D.對(duì)于兆伏級(jí)光子線(xiàn)，在淺層深度處，同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大，這是由于散射箔的設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
E.對(duì)于兆伏級(jí)光子線(xiàn)，在淺層深度處，同一深度的離軸劑量通常比中心軸劑量大，這是由于光子線(xiàn)的靶設(shè)計(jì)所導(dǎo)致的
A.氟化鋰
B.氯化納
C.硫酸銅
D.硫酸鐵
E.硫酸亞鐵
A.不會(huì)改變
B.射野的劑量均勻性不變，半影區(qū)增寬
C.射野的劑量均勻性變好，半影區(qū)增寬
D.射野的劑量均勻性變劣，半影區(qū)變窄
E.射野的劑量均勻性變劣，半影區(qū)增寬
A.l個(gè)
B.2個(gè)
C.4個(gè)
D.8個(gè)
E.16個(gè)
A.計(jì)時(shí)器的準(zhǔn)確性
B.18mm頭盔準(zhǔn)直器的總輸出劑量
C.每個(gè)頭盔的相對(duì)輸出因子
D.每個(gè)靶點(diǎn)的定位坐標(biāo)
E.應(yīng)急電源
最新試題
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線(xiàn)的曲度，也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱(chēng)分別為QA、QC。
低LET射線(xiàn)的RBE值（）1.0，高LET射線(xiàn)的RBE值（）2.0。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線(xiàn)比釋動(dòng)能率相等。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X（γ）射線(xiàn)SRT（SRS）的基本特征。
直線(xiàn)加速器使用的射野最大為（）。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
對(duì)重離子，線(xiàn)性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
隨能量增大，光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
實(shí)際患者治療時(shí)，無(wú)環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。