單項(xiàng)選擇題關(guān)于晶閘管的串聯(lián)，表述正確的是（）

A.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，僅需要采取動(dòng)態(tài)均壓措施即可
B.晶閘管串聯(lián)均壓措施就是選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件即可
C.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，需要采取靜態(tài)均壓措施和動(dòng)態(tài)均壓措施
D.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，僅需要采取靜態(tài)均壓措施即可


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1.單項(xiàng)選擇題?關(guān)于關(guān)斷緩沖電路，表述正確的是（）

A.di/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓
B.du/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小器件的開通損耗
C.關(guān)斷緩沖電路用于抑制器件的電流過沖和di/dt
D.du/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小關(guān)斷損耗

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于電力電子裝置過電壓，表述正確的是（）

A.需采取措施對(duì)電力電子裝置進(jìn)行過電壓保護(hù)
B.電力電子裝置過電壓分為外因過電壓、操作過電壓、雷擊過電壓、換相過電壓、關(guān)斷過電壓5類
C.雷擊過電壓是由電力電子裝置外部產(chǎn)生的，不需要采取措施進(jìn)行保護(hù)
D.電力電子裝置過電壓分為操作過電壓、雷擊過電壓、換相過電壓、關(guān)斷過電壓4類

3.單項(xiàng)選擇題?關(guān)于相控電路的驅(qū)動(dòng)電路，表述正確的是（）

A.相控驅(qū)動(dòng)電路都不需要同步環(huán)節(jié)，外加控制電壓大小可以確定控制相位
B.相控驅(qū)動(dòng)電路都不需要同步環(huán)節(jié)，外加控制電壓大小基本可以確定控制相位
C.相控驅(qū)動(dòng)電路要有同步環(huán)節(jié)，同步信號(hào)頻率與主電路電源的頻率相同，兩者相位關(guān)系則隨外加控制信號(hào)的變化而變化
D.相控驅(qū)動(dòng)電路要有同步環(huán)節(jié)，同步信號(hào)頻率與主電路電源的頻率相同且相位關(guān)系確定

4.單項(xiàng)選擇題?關(guān)于晶閘管觸發(fā)電路的輸出脈沖，表述正確的是下面哪個(gè)？（）

A.觸發(fā)脈沖瞬時(shí)功率不得大于平均功率定額
B.觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度，觸發(fā)脈沖寬度無要求
C.脈沖寬度應(yīng)使晶閘管可靠導(dǎo)通，觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的寬度與幅度
D.觸發(fā)脈沖寬度無要求，觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度

5.單項(xiàng)選擇題?關(guān)于驅(qū)動(dòng)電路的電氣隔離，表述正確的是下面哪個(gè)？（）

A.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用絕緣材料隔離
B.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用磁隔離
C.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離
D.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離或磁隔離

6.單項(xiàng)選擇題有關(guān)電力電子器件驅(qū)動(dòng)，表述正確的是（）

A.電流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型電力電子器件都具有輸入阻抗高的特點(diǎn)
B.電壓驅(qū)動(dòng)型電力電子器件具有輸入阻抗高的特點(diǎn)
C.流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型電力電子器件輸入阻抗相同
D.電流驅(qū)動(dòng)型的電力電子器件具有輸入阻抗高的特點(diǎn)

7.單項(xiàng)選擇題關(guān)于絕緣柵雙極晶體管安全工作區(qū)，表述正確的是（）

A.相同電壓和電流定額時(shí)，IGBT的安全工作區(qū)比GTR窄
B.相同電壓和電流定額時(shí)，IGBT安全工作區(qū)比GTR稍窄
C.相同電壓和電流定額時(shí)，IGBT安全工作區(qū)與GTR一樣
D.相同電壓和電流定額時(shí)，IGBT安全工作區(qū)比GTR寬

8.單項(xiàng)選擇題關(guān)于MOSFET的開關(guān)速度，表述正確的是（）

A.MOSFET是場控器件，靜態(tài)時(shí)幾乎不需輸入電流，開通關(guān)斷過程時(shí)間長
B.MOSFET是場控器件，靜態(tài)時(shí)柵極需輸入大電流，開通關(guān)斷過程非常迅速
C.MOSFET不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，開通關(guān)斷過程非常迅速
D.MOSFET是場控器件，靜態(tài)時(shí)需輸入大電流，開通關(guān)斷過程時(shí)間長

9.單項(xiàng)選擇題?MOSFET的輸出特性分為（）

A.MOSFET的輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、非飽和區(qū)以及放大區(qū)
B.MOSFET的輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、非飽和區(qū)和飽和區(qū)
C.MOSFET的輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)
D.MOSFET的輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)

10.單項(xiàng)選擇題有關(guān)GTR的二次擊穿現(xiàn)象表述正確的是（）

A.雖然GTR存在二次擊穿現(xiàn)象，但GTR的安全工作區(qū)與二次擊穿現(xiàn)象無關(guān)
B.GTR的安全工作區(qū)就是二次擊穿曲線
C.GTR的安全工作區(qū)與其存在二次擊穿現(xiàn)象有關(guān)
D.GTR的安全工作區(qū)是矩形的