刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的設備核心是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

光刻工藝的特點包括（）。