摻雜后，退火的目的是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。