當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）