注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）