A.A+AB=A
B.A+B=B+A
C.AX0=0
D.A+A!*B=A
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A.決定事件幾個(gè)條件有一個(gè)符合,這件事就發(fā)生
B.決定事件幾個(gè)條件全部符合,這件事就發(fā)生
C.條件不具備,事件發(fā)生;條件具備,事件不發(fā)生
D.事件和條件相反
A.F=A⊕B
B.F=A+B
C.F=A⊙B
D.F=(A*B)!
A.100100
B.110100
C.100101
D.100110
A.100100
B.100101
C.110100
D.100110
A.b+c
B.0
C.(a*b)!+c
D.1
最新試題
用作電壓放大器時(shí),CS放大器不合適的參數(shù)為()。?
CG放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?
?MOSFET源極漏極間的長度L越大,溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)?()
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí),柵極直流電壓將會(huì)(),漏極直流電流將會(huì)(),輸入電阻將會(huì)()。
I=0.5mA,Vt=1.5V,k′n(W/L)=1mA/V2,VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過電容耦合進(jìn)行傳輸(注意圖中未畫出電容),要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路,則RD=()kΩ。?
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示,當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象?()
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
?已知Nexys4開發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz,數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz,若采用計(jì)數(shù)器對(duì)100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào),請問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位?()