單項(xiàng)選擇題以下ROM中，允許用戶編程操作次數(shù)最多是（）

A.掩模式只讀存儲(chǔ)器MROM
B.可編程只讀存儲(chǔ)器PROM
C.可編程的只讀存儲(chǔ)器EPROM
D.電可擦除可編程ROM


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1.單項(xiàng)選擇題動(dòng)態(tài)RAM存儲(chǔ)單元的刷新操作指的是（）

A.向存儲(chǔ)單元寫入一個(gè)新數(shù)據(jù)
B.讀存儲(chǔ)單元的同時(shí)，并將讀出的值寫回
C.讀存儲(chǔ)單元
D.定時(shí)讀存儲(chǔ)單元，并將讀出的值寫回

3.單項(xiàng)選擇題對(duì)一個(gè)靜態(tài)存儲(chǔ)單元，說(shuō)法不正確的是（）

A.行線和列線同時(shí)選中時(shí)，存儲(chǔ)單元有1位數(shù)據(jù)輸出
B.存儲(chǔ)單元既有正相數(shù)據(jù)輸出，也有反相數(shù)據(jù)輸出
C.存儲(chǔ)單元只有正相數(shù)據(jù)輸出
D.向存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)時(shí)，既要提供正相數(shù)據(jù)，也要提供反相數(shù)據(jù)

4.單項(xiàng)選擇題組成一位靜態(tài)存儲(chǔ)單元，需要MOS管的數(shù)量是（）

A.4個(gè)
B.6個(gè)
C.8個(gè)
D.10個(gè)

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于靜態(tài)RAM說(shuō)法正確的是（）

A.雙極型SRAM由于工作速度快通常用作Cache，MOS型SRAM由于功耗低、成本低常用于嵌入式系統(tǒng)的主存
B.MOSSRAM由于工作速度快通常用作Cache，雙極型SRAM由于功耗低、成本低常用于嵌入式系統(tǒng)的主存
C.Cache和嵌入式系統(tǒng)的主存都使用雙極型SRAM
D.Cache和嵌入式系統(tǒng)的主存都使用MOS型SRAM