填空題磁隔離的器件通常是(),當(dāng)脈沖較寬時,為避免鐵心飽和,常采用()和()的方法。

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4.單項選擇題IGBT的3個引出電極分別是()

A.陽極、陰極、門極
B.陽極、陰極   柵極
C.柵極、源極  漏極
D.發(fā)射極、柵極、集電極

6.單項選擇題電力場效應(yīng)晶體管(電力MOSFET)()現(xiàn)象。

A.有二次擊穿
B.無二次擊穿
C.防止二次擊穿
D.無靜電擊穿

8.單項選擇題電力晶體管在使用時,要防止()。

A.二次擊穿
B.靜電擊穿
C.時間久而失效
D.工作在開關(guān)狀態(tài)

10.單項選擇題功率晶體管(GTR)從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱為()。

A.一次擊穿
B.二次擊穿
C.臨界飽和
D.反向截至