CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。