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填空題肖特基接觸呈現（），肖特基結的高低由（）差決定；歐姆接觸呈現（）特性，接觸電阻可以低到10^-7歐姆·厘米。IC的互連線金屬要求與半導體襯底實現（），所以，源、漏、多晶硅等的摻雜濃度必須高于（）。

1.填空題金屬-半導體接觸分：（）三種。當半導體襯底濃度低于（）時，只能產生（），當半導體襯底濃度高于（）時可實現（）。

2.填空題半導體器件隔離的種類有：（）；（）和（）三種。P-N結隔離適合（）的器件。目前大多數CMOS器件采用（）隔離，絕緣介質場區(qū)氧化層采用（）工藝生長。

3.填空題 免可控硅效應的方法從（）寄生管的總增益，以及消除寄生晶體管出發(fā)，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入電荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的產生。

4.填空題閂鎖效應（可控硅效應），是CMOS電路遇到的（）問題。在CMOS電路正常工作時，由于（）的突然被激發(fā)，器件電流突然（），甚至很快因Al（），使電路失效。

5.填空題開啟電壓（閾值電壓）的高低與柵下半導體中的（），柵氧化層的（）、（）、（）、（）等有關。載流子濃度越高，開啟電壓的絕對值（）；柵氧化層厚度越厚，開啟電壓的絕對值（）。