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集成電路技術(shù)綜合練習(xí)問答題每日一練(2019.01.24)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題光刻工藝分為哪些步驟？

參考答案：

1、底膜處理
2、涂膠
3、前烘
4、曝光
5、顯影
6、堅膜
7、刻蝕去膠

2.問答題為什么用阱可實現(xiàn)大阻值電阻？

參考答案：

阱是低參雜的，方塊電阻較大

3.問答題MOS管的主要噪聲是什么？分別是如何產(chǎn)生的？如何減?。?/a>

參考答案：熱噪聲、閃爍噪聲；
熱噪聲是由溝道內(nèi)載流子的無規(guī)則熱運動造成，閃爍噪聲由溝道處SiO2與Si界面上電子的充放電...

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4.問答題常用摻雜方法是什么？

參考答案：

擴散和離子注入。

5.問答題為什么MOS晶體管會存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分（不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)）？

參考答案：晶體管開通后，其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當漏源電壓很小時，隨著漏源電壓的值的增大，溝道內(nèi)電場強度增加，電流隨之增大，...

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