集成電路技術綜合練習章節(jié)練習(2020.05.03)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：
BJT、HBT、PMOS、NMOS、MESFET、和HEMT
參考答案：襯底；P阱的制作；場氧氧化、確定有源區(qū)；生長多晶硅柵；形成PMOS的源、漏區(qū)；形成NMOS的源、漏區(qū)；生長PSG；制作電... 參考答案：減小L和tox提高MOSFET的電流控制能力，減小W將減小輸出功率和電流控制能力，同時減小Ltox和W將保持Ids不變和... 參考答案：
由于芯片面積很小且經(jīng)歷的加工條件幾乎相同
參考答案：
利用硅獨有的特性制造薄到幾十埃（只有幾個原子層）的柵氧化層
參考答案：
設計資料庫、電路編輯環(huán)境、電路仿真工具、版圖設計工具、版圖驗證工具
參考答案：
襯底接地，但是源極未接地，將而影響Vt值
參考答案：
離子注入損傷，是指獲得很大動能的離子直接進入半導體中造成的一些晶格缺陷。
參考答案：
器件在晶體結(jié)構(gòu)中存在著類似于氣體的大量可高速遷移電子，即二維電子氣。
