集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2020.06.09)
來源:考試資料網(wǎng)參考答案:
集成電路通常制作在半導(dǎo)體襯底材料上,集成電路的基本元件是依據(jù)半導(dǎo)體特性構(gòu)成
2.問答題鋁柵MOS工藝的缺點(diǎn)是什么?
參考答案:
制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟,不容易對齊
參考答案:小規(guī)模集成電路(SSI),中規(guī)模集成電路(MSI),大規(guī)模集成電路(VSI),超大規(guī)模集成電路(VLSI),特大規(guī)模集成...
4.問答題摩爾定律得以保持的途徑是什么?
參考答案:
特征尺寸不斷縮小、增大芯片面積及單元結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。
參考答案:首先NPN具有較薄的基區(qū),提高了其性能:N阱使得NPN管C極與襯底斷開,可根據(jù)電路需要接任意電位。缺點(diǎn):集電極串聯(lián)電阻還...
參考答案:準(zhǔn)則可以指導(dǎo)版圖設(shè)計者采用合適的版圖設(shè)計技術(shù)來提高電路的匹配性能、抗干擾性能和高頻工作性能等,尤其對于高性能的模擬電路和...
參考答案:
從芯片外延和掩膜制作,光刻,材料淀積和刻蝕,雜質(zhì)擴(kuò)散或注入,到滑片封裝的全過程。
8.問答題雙極型集成電路的工藝流程具體有哪些?
9.問答題切片可決定晶片的哪四個參數(shù)?
參考答案:
切片決定了硅片的四個重要參數(shù):晶向、厚度、斜度、翹度和平行度。