問(wèn)答題鋁柵MOS工藝的缺點(diǎn)是什么？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題MOS工藝包括有哪幾種？MOS工藝的重要參數(shù)是什么？什么是特征尺寸？
2.問(wèn)答題與Si三極管相比，MESFET和HEMT存在哪些缺點(diǎn)？
4.問(wèn)答題由Si/SiGe材料系統(tǒng)研制的HEMT取得了哪些進(jìn)展？
5.問(wèn)答題什么是贗晶或贗配HEMT？
最新試題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線(xiàn)鍵合兩個(gè)工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線(xiàn)鍵合的目的是將金線(xiàn)鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類(lèi)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題