單項(xiàng)選擇題?在電路中,晶體管有()種接法。?

A.1
B.2
C.3
D.4


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1.單項(xiàng)選擇題晶體管電路符號(hào)中的箭頭方向表示()。

A.發(fā)射結(jié)由P指向N
B.集電結(jié)由P指向N
C.發(fā)射結(jié)由N指向P
D.集電結(jié)由N指向P

4.單項(xiàng)選擇題變?nèi)荻O管主要利用二極管的()。

A.單向?qū)щ娦?br/>B.頻率特性
C.非線性
D.結(jié)電容隨反偏電壓大小可變的特性

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假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū),若uDS繼續(xù)增大時(shí),溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。

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現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來(lái)自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義:下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。

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已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。

題型:多項(xiàng)選擇題