判斷題TEOS腐蝕速率比熱氧SIO2快，速率主要和后道高溫工序的溫度相關。

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7.單項選擇題下面的標準工序段中，正確的是（）。

A.CO-ET：刻蝕烘烤-打膠-CO干刻-刻蝕測膜厚-濕法腐蝕-濕法去膠-刻蝕后檢
B.LA-ET：刻蝕烘烤-打膠-鋁濕刻-鋁干刻-干法去膠-刻蝕后檢
C.PA-ET：刻蝕烘烤-干刻壓點-刻蝕測膜厚-干法去膠-刻蝕后檢
D.濕法腐蝕：刻蝕烘烤-打膠-濕法腐蝕-刻蝕測膜厚-濕法去膠-刻蝕后檢

8.單項選擇題干法刻蝕前有的工序段會有烘烤，它的作用主要是（）。

A.防止侵蝕
B.防止未蝕凈
C.讓臺階角度更陡
D.防止皺膠

9.單項選擇題SIO2、SIN干法刻蝕主要是通過哪種氣體進行刻蝕反應？（）

A.含CL基氣體
B.含F(xiàn)基氣體
C.含C基氣體
D.O2

10.單項選擇題SIO2干法刻蝕，刻蝕后CD的影響因素有（）。

A.刻蝕時間
B.聚合物的多少
C.光刻膠CD
D.以上都對