單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中燒結(jié)普通磚用模具制樣法制成的試件連同模具在不低于（）的不通風(fēng)室內(nèi)養(yǎng)護(hù)（）后脫模，再在相同條件下養(yǎng)護(hù)（），進(jìn)行試驗(yàn)。
A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中燒結(jié)普通磚用普通制樣法制成的抹面試件應(yīng)置于不低于（）的不通風(fēng)室內(nèi)養(yǎng)護(hù)（）。
A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時，兩磚樣中間抹以厚度不超過（）的用強(qiáng)度等級32.5的普通硅酸鹽水泥調(diào)制成稠度適宜的水泥凈漿粘結(jié)，上下兩面用厚度不超過（）的同種水泥漿抹平。
A、3mm.5mm
B、3mm.3mm
C、5mm.5mm
D、5mm.3mm
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時，應(yīng)將切斷的磚樣放入室內(nèi)的凈水中浸（）后，以斷口（）方向疊加制備。
A、10min～20min相反
B、10min～20min相同
C、10min相反
D、20min相同
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時，應(yīng)將磚樣切斷或鋸成兩個半截磚，每個半截磚長不得小于（），如果不足，應(yīng)另取備用磚補(bǔ)足。
A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)示值相對誤差不大于（）。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
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下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
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題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
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題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題