多項選擇題硅灰作為砼活性摻合料應(yīng)控制的主要質(zhì)量指標(biāo)包括()。
A、二氧化硅含量
B、比表面積
C、游離氧化鈣含量
D、三氧化硫含量
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1.多項選擇題以下選項材料中,常用來作為砼活性礦物摻合料的有()。
A、爐渣
B、硅灰
C、磨細(xì)石灰石粉
D、?;郀t礦渣粉
2.多項選擇題砼質(zhì)量控制時,人工砂質(zhì)量主要控制項目除顆粒級配、細(xì)度模數(shù)、含泥量、泥塊含量、堅固性等指標(biāo)外,尚應(yīng)包括()指標(biāo)。
A、石粉含量
B、氯離子含量
C、有害物質(zhì)含量
D、壓碎指標(biāo)值
3.多項選擇題粗骨料最大公稱直徑往往受制于以下()因素。
A、構(gòu)件截面最小尺寸
B、水泥品種
C、建筑規(guī)模
D、鋼筋最小間距
4.多項選擇題砼質(zhì)量控制時,粗骨料主要控制項目有()。
A、針片狀顆粒含量
B、顆粒級配
C、含泥量
D、表觀密度
5.多項選擇題以下選項的水泥屬于通用水泥的有()。
A、復(fù)合水泥
B、砌筑水泥
C、普通水泥
D、白色水泥
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題