A、搗棒
B、壓力泌水儀
C、振動(dòng)臺(tái)
D、量筒
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A、泵送性能變差
B、拌合物離析
C、凝結(jié)時(shí)間明顯縮短
D、含氣量明顯增大
A、泵送性能
B、凝結(jié)性能
C、和易性能
D、保水性能
A、砼拌合物總泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的泌水量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
A、應(yīng)以3個(gè)試樣的試驗(yàn)結(jié)果來確定
B、計(jì)算應(yīng)精確至0.01mL
C、總是以3個(gè)試樣的測(cè)值的算術(shù)平均值來表示。
D、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值與中間值之差均超過中間值的15%時(shí),此次試驗(yàn)無效。
A、一定量砼拌合物的單位面積的泌水?dāng)?shù)量
B、試驗(yàn)過程的累計(jì)泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
D、單位體積砼拌合物的泌水?dāng)?shù)量
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。