在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

硅片拋光在原理上不可分為（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

下列是晶體的是（）。