硅片拋光在原理上不可分為（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。