在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）