單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)所選用檢測方法和在墻體上選定測點(diǎn),()測點(diǎn)可以位于門窗洞口處。

A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法


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3.單項(xiàng)選擇題以下哪個不屬于原位軸壓法的缺點(diǎn)()。

A.原位軸壓法以其直觀方便無需取樣運(yùn)輸?shù)忍攸c(diǎn),具有一定的優(yōu)越性,但采用手動加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對槽間砌體的橫向約束作用靠強(qiáng)度分項(xiàng)系數(shù)修正,誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小,實(shí)測荷載值精度高
D.計(jì)算過程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結(jié)構(gòu)檢測的專業(yè)人士進(jìn)一步開發(fā)改進(jìn)。

最新試題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:單項(xiàng)選擇題

下列哪個不是單晶常用的晶向()

題型:單項(xiàng)選擇題

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:單項(xiàng)選擇題

在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。

題型:單項(xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型:單項(xiàng)選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

題型:單項(xiàng)選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()

題型:單項(xiàng)選擇題

用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型:單項(xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

題型:單項(xiàng)選擇題