A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.5~25MPa
B.6~30MPa
C.10~30MPa
D.15~30MPa
A.1-5MPa
B.1-10MPa
C.1-15MPa
D.1-20MPa
A.原位軸壓法以其直觀方便無需取樣運(yùn)輸?shù)忍攸c(diǎn),具有一定的優(yōu)越性,但采用手動加荷,加荷速度和加荷量不易控制,會造成砌體受力不均和偏心受力
B.周邊砌體對槽間砌體的橫向約束作用靠強(qiáng)度分項(xiàng)系數(shù)修正,誤差較大
C.壓力表讀數(shù)量程偏小,實(shí)測荷載值精度高
D.計(jì)算過程繁雜等,存在明顯不足,尚有待有志工程結(jié)構(gòu)檢測的專業(yè)人士進(jìn)一步開發(fā)改進(jìn)。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列哪個不是單晶常用的晶向()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。