單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法不適用于砂漿強(qiáng)度小于（）的墻體，水平灰縫表面粗糙且難以磨平時(shí)，不得采用。
A.2MPa
B.2.5MPa
C.3MPa
D.4MPa
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1.單項(xiàng)選擇題推出法不宜用于當(dāng)水平灰縫的砂漿飽滿度低于（）的墻體。
A.55%
B.60%
C.65%
D.70%
2.單項(xiàng)選擇題切制抗壓試件法取樣部位每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)小于（），且應(yīng)為墻體長度方向的中部或受力較小處。
A.1m
B.1.5m
C.1.8m
D.2m
3.單項(xiàng)選擇題扁頂法不適用于測(cè)試墻體破壞荷載大于（）KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
4.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
5.單項(xiàng)選擇題砌體工程的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)方法，檢測(cè)砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用（）。
A.點(diǎn)荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
最新試題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題