單項(xiàng)選擇題扁頂法正式測(cè)試時(shí),應(yīng)分級(jí)加荷,每級(jí)荷載應(yīng)為預(yù)估破壞荷載的()。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題扁頂法正式測(cè)試前,應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的()進(jìn)行加荷載測(cè)試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
2.單項(xiàng)選擇題扁頂法使用手持應(yīng)變儀測(cè)量砌體變形讀數(shù)時(shí),應(yīng)測(cè)量(),并應(yīng)取其平均值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.6次
3.單項(xiàng)選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中極限壓力應(yīng)為()。
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
4.單項(xiàng)選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時(shí),多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔()水平灰縫,宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
5.單項(xiàng)選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時(shí),普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔()水平灰縫,宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題