單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，多孔磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
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1.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，普通磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
2.單項選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標中額定壓力應(yīng)為（）。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
3.單項選擇題原位軸壓法正式測試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
4.單項選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細砂作為墊層，墊層厚度可取（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
5.單項選擇題原位軸壓法開鑿水平槽孔時普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為（）皮磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題