單項選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時,應根據(jù)測試儀表的校驗結(jié)果,進行荷載換算,并應精確到()。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
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1.單項選擇題原位單剪法測量被測灰縫的受剪面尺寸,應精確到()。
A.0.2mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.1mm
2.單項選擇題原位單剪法在選定的墻體上,現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強度等級不應低于()。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
3.單項選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備,在檢測前應標定荷載傳感器及數(shù)字荷載表,其示值相對誤差不應大于()。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
4.單項選擇題原位單剪法測試部位宜選在窗洞口或其他洞口下()磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
5.單項選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后,試件上下表面的砂漿應在自然養(yǎng)護()后,再進行抗壓測試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題