A.應(yīng)在槽間砌體兩側(cè)各粘貼一對變形測量腳標,腳標應(yīng)位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔4條水平灰縫,宜取250mm
C、普通磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫,宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫,宜取270mm~300mm
E、測試前應(yīng)記錄標距值,并應(yīng)精確至0.1mm
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A.應(yīng)鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿,并應(yīng)伸進撬棍,應(yīng)將水平灰縫撬松動,然后應(yīng)小心抬出試件
D.試件搬運過程中,應(yīng)防止碰撞,并應(yīng)采取減小振動的措施
E.需要長距離運輸試件時,宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.外墻轉(zhuǎn)角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處
A、使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時,應(yīng)測量3次,并應(yīng)取其平均值
B、開槽時不應(yīng)操作測點部位的墻體及變形測量腳標
C、槽的四周應(yīng)清理平整,并應(yīng)除去灰渣
D、不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
A、未能取得同條件養(yǎng)護試件強度
B、同條件養(yǎng)護試件強度被判為不合格
C、現(xiàn)場混凝土結(jié)構(gòu)構(gòu)件未按規(guī)定養(yǎng)護
D、鋼筋保護層厚度不滿足要求
A.在選擇切割線時,宜選取豎向灰縫上、下對齊的部位
B.應(yīng)在擬切制試件上、下兩端各鉆2孔,并應(yīng)將擬切制試件捆綁牢固
C.應(yīng)將切割機的鋸片(鋸條)對準切割線,并垂直于墻面,然后應(yīng)啟動切割機,并應(yīng)在磚墻上切出兩條豎縫
D.切割過程中,切割機不得偏轉(zhuǎn)和移位,并應(yīng)使鋸片(鋸條)處于連續(xù)水冷卻狀態(tài)
E.應(yīng)在擬切制試件上、下兩端各鉆4孔,并應(yīng)將擬切制試件捆綁牢固
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()