A．窗洞口
B．后砌窗下墻處
C．其他洞口下三皮磚
D．離樓面層近
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A.試件運(yùn)至試驗(yàn)室后，應(yīng)將試件上下表面大致修理平整
B.應(yīng)在預(yù)先找平的鋼墊上坐漿，然后應(yīng)將試件放在鋼墊板上
C.試件頂面應(yīng)用1：3水泥砂漿找平
D.試件頂面應(yīng)用1：1.5水泥砂漿找平
E.測量試件受壓變形值時(shí)，應(yīng)在寬側(cè)面上粘貼安裝百分表的表座
A.抗震設(shè)防
B.加強(qiáng)房屋結(jié)構(gòu)延性
C.加強(qiáng)房屋耐久性
D.加強(qiáng)房屋整體性
E.傳遞大梁傳來的荷載
A.應(yīng)在槽間砌體兩側(cè)各粘貼一對變形測量腳標(biāo)，腳標(biāo)應(yīng)位于槽間砌體的中部
B、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔4條水平灰縫，宜取250mm
C、普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫，宜取250mm
D、多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔3條水平灰縫，宜取270mm~300mm
E、測試前應(yīng)記錄標(biāo)距值，并應(yīng)精確至0.1mm
A.應(yīng)鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿，并應(yīng)伸進(jìn)撬棍，應(yīng)將水平灰縫撬松動(dòng)，然后應(yīng)小心抬出試件
D.試件搬運(yùn)過程中，應(yīng)防止碰撞，并應(yīng)采取減小振動(dòng)的措施
E.需要長距離運(yùn)輸試件時(shí)，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.外墻轉(zhuǎn)角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處
最新試題
下列是晶體的是（）。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；