直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

下列是晶體的是（）。 

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；