試判斷下圖所示各電路的級(jí)間反饋類型和反饋極性。
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?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測(cè)頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)?()
?verilog語(yǔ)法中,間隔符號(hào)主要包括()。
?在使用verilog描述一個(gè)二選一的數(shù)據(jù)選擇器時(shí),使用一條語(yǔ)句來(lái)進(jìn)行描述assign out1=(sel &b)∣(~sel &a),這條語(yǔ)句對(duì)應(yīng)的是()。
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來(lái)自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義:下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。
?電路如圖所示,如果電容C2開(kāi)路,則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)(),漏極交流電壓將會(huì)(),增益將會(huì)()。
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合,則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí),柵極直流電壓將會(huì)(),漏極直流電流將會(huì)(),輸入電阻將會(huì)()。
當(dāng)VGS=0時(shí),能夠?qū)ǖ腗OS管為()
CG放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。