單項選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題半導(dǎo)體材料的電阻率與載流子濃度有關(guān)，同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電阻率（）
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
2.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
A、位錯
B、螺旋位錯
C、肖特基缺陷
D、層錯
3.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
4.單項選擇題正確的框圖簡要說明硅片制備主要工藝流程是（）
A、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B、單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C、單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
D、單晶生長→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測→切片→晶片研磨及磨邊→打包
5.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
A、3
B、5
C、4
D、2
最新試題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題