是將摻雜氣體導入放有硅片的高溫爐中，將雜質擴散到硅片內的一種方法。
在半導體中加入微量的其他元素的原子，可以改變半導體的導電能力和導電類型。
當MOSFET進入飽和區(qū)時有效溝道長度隨漏源電壓的變化而變化，從而漏電流略有增加。
溝道長度減小到一定程度后出現的一系列二級物理效應，如閾值電壓的變化。
最新試題
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
消除鳥嘴效應的方法有（）。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關？（）
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現廢品？（）
光刻工藝的設備核心是（）。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
新的平坦化方法有哪幾個？（）