濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）