當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。