IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。