A.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，僅需要采取動(dòng)態(tài)均壓措施即可
B.晶閘管串聯(lián)均壓措施就是選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件即可
C.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，需要采取靜態(tài)均壓措施和動(dòng)態(tài)均壓措施
D.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，僅需要采取靜態(tài)均壓措施即可

A.di/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓
B.du/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓，抑制du/dt，減小器件的開(kāi)通損耗
C.關(guān)斷緩沖電路用于抑制器件的電流過(guò)沖和di/dt
D.du/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓，抑制du/dt，減小關(guān)斷損耗

A.需采取措施對(duì)電力電子裝置進(jìn)行過(guò)電壓保護(hù)
B.電力電子裝置過(guò)電壓分為外因過(guò)電壓、操作過(guò)電壓、雷擊過(guò)電壓、換相過(guò)電壓、關(guān)斷過(guò)電壓5類
C.雷擊過(guò)電壓是由電力電子裝置外部產(chǎn)生的，不需要采取措施進(jìn)行保護(hù)
D.電力電子裝置過(guò)電壓分為操作過(guò)電壓、雷擊過(guò)電壓、換相過(guò)電壓、關(guān)斷過(guò)電壓4類

A.相控驅(qū)動(dòng)電路都不需要同步環(huán)節(jié)，外加控制電壓大小可以確定控制相位
B.相控驅(qū)動(dòng)電路都不需要同步環(huán)節(jié)，外加控制電壓大小基本可以確定控制相位
C.相控驅(qū)動(dòng)電路要有同步環(huán)節(jié)，同步信號(hào)頻率與主電路電源的頻率相同，兩者相位關(guān)系則隨外加控制信號(hào)的變化而變化
D.相控驅(qū)動(dòng)電路要有同步環(huán)節(jié)，同步信號(hào)頻率與主電路電源的頻率相同且相位關(guān)系確定

A.觸發(fā)脈沖瞬時(shí)功率不得大于平均功率定額
B.觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度，觸發(fā)脈沖寬度無(wú)要求
C.脈沖寬度應(yīng)使晶閘管可靠導(dǎo)通，觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的寬度與幅度
D.觸發(fā)脈沖寬度無(wú)要求，觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度

A.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用絕緣材料隔離
B.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用磁隔離
C.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離
D.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離或磁隔離

A.電流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型電力電子器件都具有輸入阻抗高的特點(diǎn)
B.電壓驅(qū)動(dòng)型電力電子器件具有輸入阻抗高的特點(diǎn)
C.流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型電力電子器件輸入阻抗相同
D.電流驅(qū)動(dòng)型的電力電子器件具有輸入阻抗高的特點(diǎn)

A.相同電壓和電流定額時(shí)，IGBT的安全工作區(qū)比GTR窄
B.相同電壓和電流定額時(shí)，IGBT安全工作區(qū)比GTR稍窄
C.相同電壓和電流定額時(shí)，IGBT安全工作區(qū)與GTR一樣
D.相同電壓和電流定額時(shí)，IGBT安全工作區(qū)比GTR寬

A.MOSFET是場(chǎng)控器件，靜態(tài)時(shí)幾乎不需輸入電流，開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程時(shí)間長(zhǎng)
B.MOSFET是場(chǎng)控器件，靜態(tài)時(shí)柵極需輸入大電流，開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程非常迅速
C.MOSFET不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程非常迅速
D.MOSFET是場(chǎng)控器件，靜態(tài)時(shí)需輸入大電流，開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程時(shí)間長(zhǎng)

A.MOSFET的輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、非飽和區(qū)以及放大區(qū)
B.MOSFET的輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、非飽和區(qū)和飽和區(qū)
C.MOSFET的輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)
D.MOSFET的輸出特性分三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)