單項(xiàng)選擇題8MeV的R80是()cm

A.1.8
B.2.6
C.3.3
D.4.l
E.5.2


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1.單項(xiàng)選擇題直線(xiàn)加速器掩體一般指:()

A.主屏蔽墻
B.治療室與迷路
C.控制室
D.次屏蔽墻
E.機(jī)電房

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于場(chǎng)所劑量?jī)x的敘述,正確的是()

A.工作在電流模式下的電離室適合高劑量率測(cè)量
B.正比計(jì)數(shù)器比電離室具有更高的靈敏度
C.中子測(cè)量?jī)x中熱中子和lO
D.GM計(jì)數(shù)器廣泛應(yīng)用于極低輻射水平的測(cè)量
E.GM計(jì)數(shù)器對(duì)高能光子表現(xiàn)出很強(qiáng)的能量依賴(lài)性

3.單項(xiàng)選擇題圓柱形電離室保護(hù)電極的作用不包括()

A.減小電離室的漏電流
B.截?cái)嗦╇娏鳎⑵鋵?dǎo)向地面
C.確保電離室靈敏體積內(nèi)電場(chǎng)具有良好的均勻性
D.收集電離電荷
E.有助于準(zhǔn)確地收集電離電荷量

4.單項(xiàng)選擇題對(duì)輻射劑量計(jì)的描述中,不正確的是()

A.電離室有良好的能量響應(yīng)
B.膠片劑量計(jì)的空間分辨率高,不會(huì)對(duì)射束造成擾動(dòng)
C.熱釋光劑量計(jì)有較好的組織等效性,可用于點(diǎn)劑量測(cè)量
D.半導(dǎo)體劑量計(jì)的靈敏度高,需要外臵偏壓
E.電離室用于射束劑量校準(zhǔn)

5.單項(xiàng)選擇題對(duì)塑料閃爍體劑量計(jì)的描述中,不正確的是()

A.電子密度和原子組成與水幾乎等效
B.可用于高劑量梯度區(qū)域、建成區(qū)、交界面區(qū)、小野和接近治療源的劑量測(cè)量
C.能量依賴(lài)性強(qiáng)
D.靈敏度高
E.有良好的重復(fù)性和長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定性

6.單項(xiàng)選擇題關(guān)于碰撞(電離)阻止本領(lǐng),正確的是()

A.光子與原子軌道電子的相互作用
B.電子與原子軌道電子的相互作用
C.質(zhì)子與原子軌道電子的相互作用
D.中子與原子軌道電子的相互作用
E.帶電離子與原子軌道電子的相互作用

7.單項(xiàng)選擇題阻止本領(lǐng)是描述高能電子穿過(guò)單位路徑長(zhǎng)度介質(zhì)時(shí)的()

A.方向改變
B.數(shù)量損失
C.通量損失
D.動(dòng)量損失
E.能量損失

9.單項(xiàng)選擇題TMR與源皮距SSD的關(guān)系是()

A.當(dāng)SSD改變時(shí),TMR不變
B.當(dāng)SSD減小時(shí),TMR增大
C.當(dāng)SSD增大時(shí),TMR減小
D.當(dāng)SSD增大時(shí),TMR增大
E.當(dāng)SSD減小時(shí),TMR減小

10.單項(xiàng)選擇題電于直線(xiàn)加速器的加速管內(nèi)電磁場(chǎng)的分布為()

A.沿軸向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
B.沿橫向分布的電場(chǎng)和磁場(chǎng)
C.沿軸向分布的電場(chǎng)和沿橫向分布的磁場(chǎng)
D.沿橫向分布的電場(chǎng)和沿軸向分布的磁場(chǎng)
E.沿軸分布方向相反的電場(chǎng)和磁場(chǎng)