A.置0、置1
B.置0、置1、保持
C.置0、置1、保持、翻轉(zhuǎn)
D.保持、翻轉(zhuǎn)
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A.JK
B.T
C.D
A.易飽和和截止
B.易維修
C.功耗小
D.功耗高
A.2
B.3
C.4
D.8
最新試題
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象？（）
當(dāng)VGS=0時(shí)，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
?10進(jìn)制計(jì)數(shù)器模塊在數(shù)字鐘系統(tǒng)中可作為以下哪些模塊的子模塊？（）
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
在對數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí)，設(shè)秒信號的周期為10ns，若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號無效，計(jì)時(shí)使能信號有效的情況下，仿真需運(yùn)行多長時(shí)間？（）
?MOSFET源極漏極間的長度L越大，溝道長度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)？（）
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）