芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。