鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。