摻雜后退火時間一般在（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。