光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）